1. 题目来源
#题目来源砷化镓（GaAs）作为一种重要的第三代半导体材料，在高频电子器件、光电器件以及太阳能电池等领域有着广泛的应用。
然而，在GaAs材料的生长和制备过程中，不可避免地会引入各种缺陷，如点缺陷、线缺陷、面缺陷等。
这些缺陷的存在会显著影响GaAs材料的电学和光学性能，进而影响器件的性能和可靠性。
2. 应完成的主要内容
#应完成的主要内容
本论文旨在研究砷化镓广延缺陷周围载流子的扩散与复合，需要完成以下主要内容：
1.砷化镓广延缺陷的类型与表征：-概述GaAs中常见的点缺陷、线缺陷（如位错）和面缺陷（如晶界、堆垛层错）的类型、形成原因及其对材料性能的影响。
-介绍表征GaAs广延缺陷的方法，如透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等，并分析其优缺点。
2.砷化镓中载流子扩散机制：-阐述载流子在半导体材料中的扩散机制，包括漂移扩散模型、扩散系数与迁移率的关系等。
3. 基本要求及完成的成果形式
#基本要求及完成的成果形式
本论文的完成需要满足以下基本要求：
1.文献调研:查阅国内外相关领域的文献资料，了解砷化镓材料、缺陷物理、载流子输运等方面的研究现状和最新进展，为论文写作提供理论基础。
2.理论分析:运用固体物理、半导体物理等相关理论知识，对砷化镓广延缺陷周围载流子的扩散与复合机制进行深入分析，并建立相应的物理模型。
3.数值模拟:熟练掌握至少一种数值模拟软件（如COMSOL、Silvaco等），能够根据所建立的物理模型进行数值模拟，并对模拟结果进行分析和讨论。
4. 计划与进度安排
第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。
第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲
第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文
5. 参考文献（20个中文5个英文）
1. 刘玉龙,常凯,王占国.深能级缺陷对砷化镓材料少子寿命的影响[J].半导体学报,2023,44(01):153-160.
2. 孟祥旭,张兴旺,王俊杰,等.SiNx钝化对砷化镓光伏器件性能的影响[J].功能材料,2022,53(22):22088-22093.
3. 王伟,张兴旺,王俊杰,等.硫化铵钝化液浓度对砷化镓表面特性影响[J].功能材料,2022,53(17):17063-17068.
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