1. 毕业设计（论文）主要内容：
在非磁性半导体材料中，由非均匀性导致的磁阻效应（IMR）引起了人们的极大关注。比如人们通过改变电极结构、样品形状因子或者载流子浓度等调控其磁阻大小。本论文研究样品表面氧化层、电极的类型对于雪崩效应和磁阻的影响。具体方法采用改变样品氧化层厚度，蒸镀不同类型电极来达到改变电极接触方式的目的。通过外加磁场研究电极结构、温度、磁场和电流大小等因素对雪崩效应以及低场磁阻的影响规律。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1．阅读自旋电子学等相关书籍，查阅有关IMR方面的文献资料，查阅不少于15篇相关文献资料（其中近5年英文文献不少于3篇），了解磁阻相关知识，完成开题报告。
2．完成不少于5000字的英文文献翻译；
3．熟悉电子束蒸发以及低温霍尔测量系统，制备出有关的样品，并进行磁阻测量。
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1－3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，准备实验原材料以及熟悉制备和测试设备。完成开题报告。
第4－6周： 基于Ge基的磁阻器件的制备。
第7－10周： 温度、磁场等条件对器件的电输运性能、磁阻效应的影响的研究。
4. 主要参考文献
[1]J.J.H.M.Schoonus, P.P.J.Haazen, H.J.M.Swagten, and B.Koopmans, “Unravelling the mechanism of large room-temperature magnetoresistance in silicon,” J. Phys. D, Appl. Phys. ,42,185011(2009).
[2]Z. G. Sun, M. Mizuguchi, T. Manago, and H. Akinaga, Magnetic – field - controllable avalanche breakdown and giant magnetoresistive effects in Gold/semi-insulating-GaAs Schottky diode Appl. Phys. Lett. 85, 5643 (2004)
[3]M. P. Delmo, S. Yamamoto, S. Kasai, T. Ono K. Kobayashi, “Large positive magnetoresistive effect in silicon induced by the space-charge effect,”Nature,457,007711(2009).
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