十字叉形硅结构的磁场辅助腐蚀工艺研究任务书

 2021-08-20 23:56:49

1. 毕业设计(论文)主要内容:

1)学习湿化学腐蚀的相关知识。

2)学习磁场辅助的基本原理。

3)基于光刻工艺,设计十字叉形模板,进行实验,比较结构的优劣,进行优化。

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2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

(1)学习湿化学腐蚀及光刻的相关知识。

(2)学习磁场辅助的基本原理。基于光刻工艺,设计十字叉形模板,进行实验,比较结构的优劣,进行优化。

(3)阅读的参考文献不少于15篇(其中近五年外文文献不少于3篇)。

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

第1-2周:完成题目调研,查阅参考资料,完成开题报告。

第3-7周:学习湿化学腐蚀及光刻的相关知识,完成英文文献的翻译。

第8-13周:学习磁场辅助的基本原理。基于光刻工艺,设计十字叉形模板,进行实验,比较结构的优劣,进行优化。

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4. 主要参考文献

[1]1. 孙俭.碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌的影响[J].电子工业专用设备,光伏制造与设备,2011,194:28-30.

[2]2. Krzysztof P.Rola,Irena Zubel.Impact of alcohol additives concentration on etch rate and surface morphologyof (100) and (110) Si substrates etched in KOH solutions[J]. Microsystem Technologies,2013,19:635-643.

[3]3.张凯,顾豪爽,胡光,叶芸,吴雯,刘婵. MEMS 中硅的深度湿法刻蚀研究. 湖北大学学报(自然科学版),2007,29(3):255-257.

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