1. 毕业设计（论文）主要内容：
通过化学气相沉积法（CVD法）合成具有半导体性质、金属性质的二维过渡金属硫族化合物，并优化其制备工艺；表征二维材料的结构并分析其与光学、电学等性质的关系。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1、查阅不少于15篇文献（其中近5年英文文献不少于3篇），完成开题报告。
2、通过CVD法制备MoS2和NbS2等材料，表征所获得二维材料的结构，测试其光学、电学性质，同时讨论结构对其性质的影响。
3、完成不少于5000字的英文文献翻译。
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1－3周：查阅相关文献资料，完成文献翻译，确定实验方案并完成开题报告。
第4－8周：按照设计的方案制备半导体和金属性质的二维材料。
第9－12周：完成对材料的结构表征和光学、电学等性质测试。
4. 主要参考文献
[1] Zhao M, Ye Y,Han Y, et al. Large-scale chemical assembly of atomically thin transistors andcircuits[J]. Nature Nanotechnology, 2016,11(11): 954-959.
[2] Kim A R, Kim Y,Nam J, et al. Alloyed 2D Metal–Semiconductor Atomic Layer Junctions[J]. Nanoletters, 2016, 16(3): 1890-1895.
[3] Chuang H J,Chamlagain B, Koehler M, et al. Low-resistance 2D/2D ohmic contacts: Auniversal approach to high-performance WSe2, MoS2, andMoSe2 transistors[J]. Nano letters, 2016, 16(3): 1896-1902.
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