1. 毕业设计(论文)主要目标:
SnO2作为一种宽禁带半导体气敏材料,在目前应用最广泛。
本文以制备性能优良的 SnO2气敏材料为目的,采用溶胶-凝胶法制备SnO2薄膜,涂覆在陶瓷管上,制成SnO2薄膜元件,并通过XRD表征来对SnO2粉体进行结构分析,设计电路,通过对元件电学量的测量进行SnO2薄膜气敏性研究。
2. 毕业设计(论文)主要内容:
我们用溶胶-凝胶法,选取0.2 mol/L 的柠檬酸-SnCl4,滴加氨水至最终PH为9,配成溶胶,再将溶胶涂覆于清洗过的陶瓷管上,再将样品置于电阻炉中在500度高温下煅烧2小时,后随炉冷却,煅烧后的陶瓷管上用导电银浆粘上金电极,烘干后就得到了SnO2薄膜元件。同时将我们制得的溶胶静置老化3天变成凝胶,凝胶通过70度的干燥完全,放在玛瑙研钵中研磨得到白色水合氧化锡粉体,最后将水合氧化锡粉体放置于电阻炉中在500度下煅烧3小时,烧结完后再研磨就得到了纯SnO2粉体,用XRD表征来研究SnO2的结构。
在电路设计和数据采集上,我们充分运用了实验室的器材,通过Agilent34401A和Labview软件的组合,我们实现了测量数据的采集和分析,从而对SnO2薄膜元件进行气敏性研究。
3. 主要参考文献
[1]Y. Liu, J. Yu, P.T. Lai, Investigation of WO3/ZnO thin-film heterojunctionbased Schottky diodes for H2 gas sensing, Int. J. Hydrogen Energy 39 (2014) 10313–10319.
[2]M. Yuasa, T. Masaki, T. Kida, K. Shimanoe, N. Yamazoe, Nano-sized PdO loaded
SnO2 nanoparticles by reverse micelle method for highly sensitive CO gas sensor, Sens. Actuators B 136 (2009) 99–104.
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