1. 毕业设计（论文）的内容和要求
信息技术的飞速发展，要求开发具有更高存储密度及更快响应速度的信息存储材料。单分子磁体是由分立的、磁学意义上没有相互作用的单个分子构成而不是由一个三维扩展晶格( 如金属、金属氧化物等) 构成的，并在阻塞温度(blocking temperature, TB) 以下呈现磁滞行为，因此在超密存储和量子计算等领域展现出广阔的应用前景。近年来，相关研究发展很快，成为融合物理、化学和材料等诸多学科的前沿研究领域之一。
自1993 年发现第一个单分子磁体Mn12-AC以来，经过十几年的努力，已对过渡金属离子单分子磁体做了较深入的研究，得到了Mn、Fe、V 和Ni 等多种多核单分子磁体。对过渡金属单分子磁体的研究证明高自旋基态(S)和显著的负各向异性(D) 是单分子磁体必须具备的2个要素，二者结合产生自旋翻转的能垒。为获得高能垒的单分子磁体，多年来，人们一直致力于高自旋和大各向异性分子的设计。但Ruiz等于2008 年基于对Mn6体系磁各向异性与磁相互作用的理论研究揭示了高自旋基态与大单轴各向异性是不可兼得的。证明提高分子的自旋基态往往以降低体系的磁各向异性为代价，也就是说单分子磁体自旋翻转的能垒主要取决于旋轨耦合的强度，无法靠分别优化S和D来实现。因此，在过渡金属簇合物中引入单电子数多、具有强旋轨耦合作用的稀土离子来合成3d-4f单分子磁体是研究思路之一。
本课题设计合成含多齿氮、氧类schiff碱配体，对其进行化学表征，确定组成后进一步与3d-4f金属离子反应，以期得到磁阻塞温度更高的3d-4f 单分子磁体。2. 参考文献
1. 王庆伦，廖代正. 化学进展，2003，15(3) : 161169.
2．张旭红， 王淑萍. 化学进展，2010，22(9) : 17091719.
3．M. Andruh, J. P. Costes, C. Diaz, S. Gao, Inorg. Chem. 2009, 48, 3342-3359.
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