1. 毕业设计（论文）的内容和要求
本课题将设计一种可在SiC表面形成有效SiO2层的实验方案。
设计实验条件的各项参数，使其能在SiC表面形成满足条件的氧化层，进而实现SiC的预氧化处理。
在实验实现的基础上，综合分析实验过程中的各项数据，总结碳化硅被动氧化的反应动力学规律。
2. 参考文献
根据毕业要求指点10.2，毕设期间要进行研究现状调查与总结，要求在开题报告及毕业设计（论文）中涉及的英文文献不少于20篇，其中近5年不少于8篇，英文文献不少于5篇。
以下是与本课题相关的部分文献列表： [1] Xin-mei Hou, Chou Kuo-Chih, Li Fu-shen. A new treatment for kinetics of oxidation of silicon carbide[J]. Ceramics International, 2009, 35(2): 603-607. [2] Jia Quanli, Haijun Zhang, Suping Li, et al. Effect of particle size on oxidation of silicon carbide powders[J]. Ceramics International, 2007, 33(2): 309-313. [3] 崔霞, 周贤良, 欧阳德来, et al. SiCp/Al复合材料用SiC表面预氧化处理研究[J]. 南昌航空大学学报：自然科学版, 2017(31):49. [4] 霍玉柱, 商庆杰, 潘宏菽. SiC高温氧化的研究[J]. 半导体技术, 2010, 35(10):980-982. [5] Bohuslava McFarland, Opila Elizabeth-J. Silicon carbide fiber oxidation behavior in the presence of boron nitride[J]. Journal of the American Ceramic Society, 2018, 101(12): 5534-5551. [6] Peter-A Mouche, Terrani Kurt-A. Steam pressure and velocity effects on high temperature silicon carbide oxidation[J]. Journal of the American Ceramic Society, 2019. [7] Amanda-L Hoskins, Gossett Tyler-A, Musgrave Charles-B, et al. The effect of ultrathin ALD films on the oxidation kinetics of SiC in high-temperature steam[J]. Chemical Engineering Science, 2019, 201230-236. [8] 石凯，马世行，夏熠，等. 表面预氧化改性SiC对高铝-SiC浇注料性能的影响[J]. 工业炉, 2019, 41(04): 66-69. [9] 郑传伟, 杨振明, 张劲松. 反应烧结多孔碳化硅的高温氧化行为[J]. 材料研究学报, 2010, 24(1):103-107. [10] 陈文怡. 纳米SiC陶瓷的氧化特性的研究[J]. 中国陶瓷, 2016, 52(05): 20-23.[11] 陈思员，姜贵庆，俞继军，等. 碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析[J]. 宇航材料工艺, 2009, 39(03): 21-24.[12] 朱练平，夏光华. 碳化硅粉体的氧化动力学行为[J]. 中国陶瓷工业, 2002, (06): 30-32.[13] 李小斌，周秋生，刘业翔，等. 亚微米SiC粉体的氧化过程[J]. 中国有色金属学报, 2000, (04): 560-563.[14] 王俊，王平，简觉非，等. 氧化SiCp对紫砂陶导热性能的影响[J]. 中国陶瓷, 2013, 49(04): 41-46.[15] 黄晓莹. 用于复合材料的SiC颗粒表面改性研究[D]. 沈阳理工大学, 2009.
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