1. 毕业设计（论文）主要内容：
SiC MOSFET管是重要的电力电子器件，一般通过以单片机、DSP等为核心的微控制器控制其通断。但微控制器输出的信号不能直接控制SiC MOSFET管，必须经驱动电路将控制信号放大后才能控制MOSFET管。
本设计的任务是设计SiC MOSFET管驱动电路，包括死区电路设计、过流保护电路设计、过压保护电路设计，并设计PCB板。
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2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1.阅读相关文献不少于15篇，其中英文不少于3篇。了解该领域技术发展历史中的重大突破的背景和影响，并理解本毕业设计的设计/开发背景和意义。
2.翻译与课题相关的英文文献，不少于2万字符。
3.掌握SiC基本特性与工作原理，了解电路设计方法，进行方案分析与选择,撰写开题报告。
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3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
1、完成必读参考文献中第5篇英文文献翻译（1周）；
2、查阅与毕业设计选题相关的参考文献，撰写开题报告（第2~3周）；
3、驱动电路设计与仿真（第4~7周）；
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4. 主要参考文献
[1] 阮新波.脉宽调制DC/DC全桥变换器的软开关技术[M]. 北京：科学出版社，2012.
[2] Arbraham I Pressman,Keith Billings, Taylor Morey著， 王志强，肖文勋等译.开关电源设计（第三版）.北京：电子工业出版社，2010.
[3] 王兆安，刘进军. 电力电子技术[M].北京：机械工业出版社，2009.
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