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1. 毕业设计（论文）的内容和要求
本课题采用直流多靶磁控溅射镀膜技术，在单晶硅片上依次溅射NbMoTaW和Cu，并通过不同的退火温度处理，对各个退火温度阶段的样品进行表面及结构的分析，比如XRD、SEM、TEM等等，探究一定厚度的NbMoTaW阻挡层能阻挡铜和硅之间相互扩散的最高温度。
最后把整个研究内容写成毕业论文。
毕业论文的内容和要求如下：（1）在第一章文献综述部分，通过文献阅读和总结分析，给出如下内容：扩散阻挡层及高温高熵合金的基本信息、扩散阻挡层的发展历程、当前有哪些制备方法、最新的研究进展等，本课题拟开展的研究内容和预期目标。
2. 实验内容和要求
根据毕业要求指点3.2、3.3和4.2，本课题要开展的实验内容和要求如下：（1）磁控溅射基础知识的学习和仪器的使用，选择合适的溅射功率和气压等工艺参数。
（2）结合现代分析技术，如XRD、SEM和TEM等，初步探讨表面铜薄膜的晶粒尺寸、整个体系的结构与退火温度的关系，并分析其带来的性能的变化。
（3）能够利用Origin软件对数据结果进行处理，深入分析结构变化，表面形貌变化，总结发现规律，对结果正确性和合理性进行分析和解释，获得相应结论。
3. 参考文献
根据毕业要求指标点2.3、10.2的要求，毕业论文期间要进行研究现状调查与总结，要求在开题报告及毕业设计（论文）中涉及的文献不少于20篇，其中英文文献不少于5篇。以下是与本课题相关的部分文献列表，学生自己按需进行补充：[1]陈剑辉, 刘保亭, 赵冬月, 等. 硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究[J]. 材料导报:综述篇, 2010, 24(6) : 58-63.
[2] Xiaobin Feng, Jinyu Zhang, Ziren Xia, et al. Stable nanocrystalline NbMoTaW high entropy alloy thin lms with excellent mechanical and electrical properties[J]. Materials Letters, 2018, 210: 8487.
[3]王翠萍, 戴拖, 卢勇, 等. Cu互连中V、V-N和V/V-N薄膜的扩散阻挡性能[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2016, 55(6) : 810-814.
4. 毕业设计（论文）计划
设计（论文）各阶段工作内容2021.1.6-2021.2.28 查阅文献，充分了解课题背景，完成开题报告，翻译外文资料。
2021.2.28-2021.3.5 确定实验方案，基本掌握实验设备操作。
2021.3.5-2021.5.25 根据实验方案开展直流磁控溅射技术制备NbMoTaW高熵合金扩散阻挡层的体系和工艺研究。
以上是毕业论文任务书，课题毕业论文、开题报告、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
