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1. 毕业设计（论文）的内容和要求
HfO2基材料是以HfO2为基质的多元固溶体，在HfO2中加入Al、Zr等元素后可以使其具有良好的铁电性质，该类薄膜可以作为高介电材料应用于微电子器件领域。
在特定的结构或条件下，该类薄膜可以呈现出负电容效应，这一重要性质对研制超低功耗纳米级场效应晶体管具有重要的应用价值。
本项目拟围绕HfO2:Al薄膜的负电容性质开展研究工作，并通过研究揭示其负电容效应机理。
2. 实验内容和要求
1、学习并掌握脉冲激光沉积、热蒸发等薄膜制备技术；2、掌握X射线衍射、四探针等表征技术；3、制备系列HfO2:Al薄膜；4、表征薄膜结构、电学性质；5、测试负电容性能。
3. 参考文献
[1] Kim, H (Kim, Hyungwoo); Kashir, A (Kashir, Alireza); Oh, S (Oh, Seungyeol); Hwang, H (Hwang, Hyunsang), A new approach to achieving strong ferroelectric properties in TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN devices, NANOTECHNOLOGY,32(5), 055703, 2021.
[2] Batra, Rohit; Huan Doan Tran; Ramprasad, Rampi, Stabilization of metastable phases in hafnia owing to surface energy effects, APPLIED PHYSICS LETTERS, 108(17), 172902, 2016.
[3] Batra, Rohit; Tran Doan Huan; Jones, Jacob L.; et al., Factors Favoring Ferroelectricity in Hafnia: A First-Principles Computational Study, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 121(8),?139-4145,2017.
4. 毕业设计（论文）计划
1、2020.12-2021.2，文献调研、撰写开题报告；2、2021.3-2021.4，开展实验、数据分析；3、2021.5-2021.6，撰写毕业，完成答辩。
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