全文总字数：2330字
1. 毕业设计（论文）的内容和要求
HfO2作为一种高介电常数的铁电材料在微电子器件研究领域具有广泛的应用。
纳米级尺度的HfO2薄膜具有负电容效应，在研制超低功耗纳米尺度FET方面具有潜在的应用价值。
本项目拟围绕HfO2超薄膜的铁电性质开展研究工作。
2. 实验内容和要求
1、学习并掌握脉冲激光沉积、热蒸发等薄膜制备技术；2、掌握X射线衍射、四探针等表征技术；3、制备系列HfO2薄膜；4、表征薄膜结构、电学性质；5、测试铁电性质。
3. 参考文献
[1] Kim, H (Kim, Hyungwoo); Kashir, A (Kashir, Alireza); Oh, S (Oh, Seungyeol); Hwang, H (Hwang, Hyunsang), A new approach to achieving strong ferroelectric properties in TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN devices, NANOTECHNOLOGY,32(5), 055703, 2021.
[2] Batra, Rohit; Huan Doan Tran; Ramprasad, Rampi, Stabilization of metastable phases in hafnia owing to surface energy effects, APPLIED PHYSICS LETTERS, 108(17), 172902, 2016.
[3] Batra, Rohit; Tran Doan Huan; Jones, Jacob L.; et al., Factors Favoring Ferroelectricity in Hafnia: A First-Principles Computational Study, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 121(8),?139-4145,2017.
4. 毕业设计（论文）计划
1、2020.12-2021.2，文献调研、撰写开题报告；2、2021.3-2021.4，开展实验、数据分析；3、2021.5-2021.6，撰写毕业，完成答辩。
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