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1. 毕业设计（论文）的内容和要求
Ga2O3作为一种超宽禁带半导体，因具有高达5.3eV的超宽带隙能，在日盲紫外光探测领域具有广泛的应用。
本课题基于Ga2O3薄膜，制作光电导型日盲紫外光探测器，并研究其结构和光学的基本物性、波长依赖的光响应曲线、时间响应特性等性质。
通过基本性质研究，通过优化条件，提高探测器的响应度，努力获得高性能的日盲紫外光探测。
2. 实验内容和要求
1、学习并掌握脉冲激光沉积、热蒸发等薄膜制备技术；2、掌握X射线衍射、光谱测量等表征技术；3、制备系列Ga2O3薄膜；4、表征薄膜结构、光学性质；5、构建MS结构探测器元器件；6、测试器件性能。
3. 参考文献
[1] Zhao, B (Zhao, Bin); Wang, F (Wang, Fei); Chen, HY (Chen, Hongyu); Zheng, LX (Zheng, Lingxia); Su, LX (Su, Longxing); Zhao, DX (Zhao, Dongxu); Fang, XS (Fang, Xiaosheng), An Ultrahigh Responsivity (9.7 mA W-1) Self-Powered Solar-Blind Photodetector Based on Individual ZnO-Ga2O3 Heterostructures, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 27(17), 1700264, 2017.
[2] MA (Mastro, Michael A.); Kuramata, A (Kuramata, Akito); Calkins, J (Calkins, Jacob); Kim, J (Kim, Jihyun); Ren, F (Ren, Fan); Peartong, SJ (Peartong, S. J.), Opportunities and Future Directions for Ga2O3, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 6(5), 356-359,2017.
[3] Guo, DY (Guo, Daoyou); Su, YL (Su, Yuanli); Shi, HZ (Shi, Haoze); Li, PG (Li, Peigang); Zhao, N (Zhao, Nie); Ye, JH (Ye, Junhao); Wang, SL (Wang, Shunli); Liu, AP (Liu, Aiping); Chen, ZW (Chen, Zhengwei); Li, CR (Li, Chaorong); Tang, WH (Tang, Weihua), Self-Powered Ultraviolet Photodetector with Superhigh Photoresponsivity (3.05 A/W) Based on the GaN/Sn:Ga2O3 pn Junction,ACS NANO, 12(12), 12827-12835, 2018.
4. 毕业设计（论文）计划
1、2020.12-2021.2，文献调研、撰写开题报告；2、2021.3-2021.4，开展实验、数据分析；3、2021.5-2021.6，撰写毕业，完成答辩。
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