1. 毕业设计（论文）主要目标：
1.掌握GaN特性及制备方法；
2.掌握Si衬底GaN基LED的结构特征、工作原理、制备方法；
3.分析Si（111）和Si（110）衬底上GaN基LED器件的电致发光谱等光电特性。
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2. 毕业设计（论文）主要内容：
主要研究Si衬底上GaN基LED的光电特性，主要内容包括GaN的物化性质，GaN基LED的光电特性，Si衬底GaN基LED的发光效率的影响因素（包括斯塔克效应，电极分布形式，生长温度等）进行讨论。
主要研究方法为对该器件的伏安特性曲线，变温光致发光谱，不同激光功率的光致发光谱，不同电流下电致发光谱等实验数据进行分析计算，并通过拟合得到相应发光峰值数据，对其光电特性进行详细研究。
3. 主要参考文献
[1] 刘战辉. 氢化物气相外延GaN材料性质研究[D]. 南京: 南京大学, 2012[2] Chih-Yen Chen, Zhan Hui Liu, Chun-Han Lin, et al.Strain reduction and crystal improvement of an InGaN/GaN quantum-well light-emitting diode on patterned Si (110) substrate[J]，Appl. Phys. Lett., 2013, 103(14): 141914-1-4.
[3] R. A. Logan and C. D. Thurmond, Heteroepitaxial thermal gradient solution growth of GaN [J]. J. Electrochem. Soc., 1972, 119(12): 1727-1735.
[4] Zuhair A. Munir and Alan W. Searcy, Activation Energy for the Sublimation of Gallium Nitride [J]. J. Chem. Phys., 1995, 42(12): 4223-4228.
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