1. 毕业设计（论文）主要目标：
晶体管器件虽然开关速度慢、功耗大，但是其体积小、耗电少、可靠性高，能够广泛地应用于广播、电视、雷达、自控装置等领域，微电子。
然而，随着晶体管在电子、通讯等行业的广泛使用，雷电过电压造成晶体管损坏的情况不仅难以避免，还有越来越多的趋势。
因此，研究雷电过电压对晶体三极管的损坏机理对雷电压防护的实际应用是非常有意义的。
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2. 毕业设计（论文）主要内容：
针对雷电过电压导致晶体管器件发生损坏的问题，通过对局部电流集中产生的过热点会使晶体三极管二次击穿的现象进行理论分析，采用雷电组合波发生器模拟雷电过电压冲击四种不同型号的晶体管的实验方法，设计四组在不同情况下对晶体管进行组合波冲击的实验，分别是在无任何保护的情况下、瞬态抑制二极管（TVS）并联保护的情况下、实际的基础放大电路中的无任何保护的情况以及TVS管并联保护的情况下进行实验。
3. 主要参考文献
1杨建光.半导体三极管静电放电电磁脉冲效应实验研究.[D].石家庄:河北师范大学,2008:1-50.
2席晓文.双极晶体管电磁脉冲损伤机理研究.[D].西安:西安电子科技大学,2010:1-59.
3 席晓文,柴常春,任兴荣,杨银堂,马振洋,王婧. Influence of the externalcomponent on the damage of the bipolar transistor induced by theelectromagnetic pulse[J]. Journal of Semiconductors,2010(7): 49-52.
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