1. 毕业设计（论文）主要目标：
随着半导体技术的发展，金属氧化物半导体场效应晶体管((MOSFET)广泛用于当今的集成电路中。
为了进一步改进LDMOS的性能，可以采用双栅极结构以增加LDMOS的击穿电压和栅极电荷。
本课题应用CAMSOL，关于双栅极晶体管型光电传感器的设计。
2. 毕业设计（论文）主要内容：
MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor金属氧化物半导体场效应晶体管）是目前应用最广泛的半导体器件之一，同时也是所有商用处理器、存储器和数字集成电路的主要组成部分。
考虑到MOSFET的栅极采用的是薄膜绝缘材料，与MESFET所采用的金属栅极相比阻抗更加高，计算过程会更加漫长，所以在MESFET的仿真模拟基础上进行了双栅极的改变来进行仿真设计。
MESFET的模型底部采用的是绝缘层，顶部和漏源极采用的是金属接触，因为要设计的是双栅极结构，所以我把底部的边缘材料设计成了和顶栅一样的金属接触。在参数扫描部分加入了一个底栅电压，进行参数化扫描，得出结论。
3. 主要参考文献
Mohammed-Brahim T, Kandoussi K, Coulon N, Simon C. ECS Trans 2008;16:57–66.
KangMK, Uh K, Kim HG. Advanced technology based on a-Si or LTPS TFT forhighperformance mobile display. In: Proc Soc Inf Display Int Symp Dig TechPapers; 2007. p. 1262–5.
Van Den Daelea W, Augendre E, Le Royer C, et al.Low-temperature characterization and modeling of advanced GeOI pMOSFETs:mobility mechanisms and origin of the parasitic conduction. Solid-StateElectron, 2010, 54(2): 205
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