不同退火温度下GaN薄膜的光学特性研究任务书

 2021-08-20 01:24:18

1. 毕业设计（论文）主要目标：

1、了解氮化镓和氧化镓薄膜的光电特性

2、了解氧化氮化镓薄膜氧化的不同制备方法

2、了解氧化氮化镓和氧化镓薄膜光学和结构测试方法

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2. 毕业设计（论文）主要内容：

  1. 文献调研，分析氧化氮化镓氧化及其光电特性的国内外研究进展；
  2. 了解氧化氮化镓薄膜的一般制备方法和检测手段；
  3. 用管式炉热氧化的方法氧化氮化镓，研究热氧化温度、气氛和时间等参数对氮化镓薄膜的能带结构、晶体结构和光学特性的影响。

3. 主要参考文献

[1]热氧化法中温度对Ga2O3薄膜性质的影响[J].孙景昌,刘奎朝,马章微,赵廷,王玉新,张曦文,郎月怡,李成仁. 辽宁师范大学学报(自然科学版).2015(03)

[2]Thermal oxidation behaviors of GaN powders[J].Hong-Di Xiao, Hong-Lei Ma,Cheng-Shan Xue,Hui-Zhao Zhuang,Jin Ma ,Fu-Jian Zong,Wen-Rong Hu,School of Physics and Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, PR China,Institute of Semiconductor,Shandong Normal University,Jinan 250014,PR China,The Research Center of Environmental Science and Engineering Technology,Shandong University,Jinan 250061, PR China.

[3]Fabrication and characterization of GaN/amorphous Ga2O3 nanocables through thermal oxidation[J].Ji-Hyuk Choi, Moon-Ho Ham,Woong Lee,Jae-Min Myoung.

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