1. 1. 毕业设计（论文）的内容、要求、设计方案、规划等
随着半导体物理学的迅速发展，半导体霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度Eg，用微分霍尔效应法还可测量载流子浓度的纵向分布。是半导体材料电学参数的主要测定手段。
同样，半导体材料的霍尔特性存在大量和重要的应用领域，是半导体磁敏器件的物理基础。随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单，频率响应宽(达10GHz)，寿命长，可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。
本毕业设计主要工作：
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2. 参考文献（不低于12篇）
[01] (美) Donald A. Neamen.半导体物理与器件[M].北京：电子工业出版社，2010
[02] 朱秉升, 罗晋生，刘恩科.半导体物理学.第7版 [M].北京：电子工业出版社，2008
[03] 刘畅生, 寇宝明, 钟龙.霍尔传感器实用手册[M].北京：中国电力出版社，2009
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