1. 毕业设计（论文）主要内容：
熟悉绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的工作特性，为建模仿真打下理论基础；建立IGBT三维仿真模型，分析IGBT封装结构的寄生参数，并利用ANSYS Q3D仿真软件提取模型的封装寄生参数，生成等效电路模型；使用Maxwell分析IGBT的空间电场及磁场分布。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1、查阅不少于15篇的相关资料，其中英文文献不少于3篇，完成开题报告。
2、通过阅读文献了解IGBT的工作特性，建立IGBT三维仿真模型。
3、利用ANSYS Q3D仿真软件提取IGBT模型的封装寄生参数，生成等效电路模型。
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3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
1-2周 文献查阅及撰写开题报告3-4周 了解IGBT的工作特性，建立IGBT三维仿真模型5-8周 建利用ANSYS Q3D仿真软件提取IGBT模型的封装寄生参数，生成等效电路模型9-12周 使用Maxwell分析IGBT的空间电场及磁场分布13-14周 毕业设计论文撰写及答辩
4. 主要参考文献
1、ANSYS电磁培训专题. http://www.ansys.com/zh_cn/webinar/electronics2、何金良. 电磁兼容概论[M]. 科学出版社, 2010. 3、王颖丽. 考虑IGBT寄生参数的PWM整流器传导干扰研究[D]. 天津理工大学, 2014.4、赵芬. IGBT模型仿真研究[D]. 合肥工业大学, 2010.
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