1. 毕业设计（论文）主要内容：
利用介电可调薄膜材料的可调特性研制的介质压控微波器件高频性能好，功率容量大，响应速度快，还有易收集、能耗小、成本低、可靠性高等特点，在移动通信、卫星系统、雷达系统等军事和民用电子系统中有巨大的应用前景。
介电可调器件一般需要适中的介电常数、低的介电损耗和高的介电可调率（≥10%）。
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜是一种重要的铁电薄膜，具有比较高的介电可调率，能够满足介电可调器件的要求，但是它的缺点是介电常数非常高，而且介电损耗也比较大。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
主要任务：1．文献调研，了解PZT/BMN复合薄膜的国内外研究概况和发展趋势；
2．采用溶胶-凝胶法制备PZT薄膜；
3．采用水溶液凝胶法制备长期稳定澄清的Nb前驱体溶液，以此为基础，通过组成设计加入其他的金属碳酸盐可控制备Ba（Mg1/3Nb2/3）O3前驱体溶液；
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
1~2周 文献调研，翻译英文文献；3~5周 整理资料，在任务书的基础上，设计研究方案，确定切实可行的实验技术路线，了解相关的结构和性能的测试方法；撰写开题报告，开题答辩；
6~10周 材料制备和结构表征；
11~12周 材料的介电可调性能测试；
4. 主要参考文献
1.Hwang K, Manabe T, Yamaguchi I, Mizuta S, Kumagai T. Preparation of epitaxial Pb(Zr, Ti)O3 thin films on MgO (100) substrates by dipping-pyrolysis process [J]. J Ceram Soc Jpn 105:952–956
2.Chu YH, Lin SJ, Liu KS, Lin IN. Characteristics of Pb(Zr,Ti)O3 thin films deposited on Pt(Si) at low substrate temperature by using Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 as buffer layer [J]. Integr Ferroelectr 67:935–944
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