1. 毕业设计（论文）主要内容：
1. 缓冲层制备的研究意义及国内外研究现状；
2. 缓冲层制备的的研究目的和技术路线；
3. 表征和分析缓冲层对于Si单晶基板上外延生长3C-SiC111薄膜的影响。
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2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1.1、查阅不少于15篇相关文献资料（其中近5年英文文献不少于3篇）;
2.调研与课题相关的国内外研究现状及其研究方法，完成开题报告；
3. 设计实验并完成样品的制备、表征及分析；
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3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
1-2周：查阅文献、撰写开题报告
3-4周：进行实验准备，完成英文文献翻译
5-12周：设计实验并完成样品的制备、表征及分析；
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4. 主要参考文献
1. Song Zhang, Rong Tu and Takashi Goto, “High-Speed Epitaxial Growth of β-SiC Films on Si(111) Single Crystal by Laser Chemical Vapor Deposition”, J. Am. Ceram. Soc., 2012, 95(9):2782-2784.2.Song Zhang, Qingfang Xu, Rong Tu, Takashi Goto, and Lianmeng Zhang, “High-Speed Preparation of 111- and 110-Oriented b-SiC Films by Laser Chemical Vapor Deposition”, J. Am. Ceram. Soc., 2014, 97 (3): 952–958 .
3.A. Severino， C. Frewin, C. Bongiorno, R. Anzalone, “Structural Defects in (100) 3C-SiC Heteroepitaxy: Influence of the Buffer Layer Morphology on Generation and Propagation”, Diamond Related Materials, 2009, 18(12) :1440–1449.
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