二维Bi2O2Se的生长制备与光电特性任务书

 2021-10-25 21:00:24

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

本课题将通过化学气相沉积的方法生长二维单晶材料Bi2O2Se,通过改变生长过程中的气流大小、温度等条件,实现对纳米片厚度和大小的可控。

通过器件制备,研究其光电性能,总结该材料产生光电性能背后的物理机制。

最后把整个研究内容写成毕业论文。

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2. 参考文献

根据毕业要求指点10.3,毕设期间要进行研究现状调查与总结,要求在开题报告及毕业设计(论文)中涉及的英文文献不少于20篇,其中近5年不少于8篇,英文文献不少于5篇。

以下是与本课题相关的部分文献列表:[1] BEHURA S K, WANG C, WEN Y, et al. Graphenesemiconductor heterojunction sheds light on emerging photovoltaics [J]. Nature Photonics, 2019, 13(5): 312-8.[2] FU Q, ZHU C, ZHAO X, et al. Ultrasensitive 2D Bi2 O2 Se Phototransistors on Silicon Substrates [J]. Adv Mater, 2019, 31(1): e1804945.[3] JIANG H, ZHENG L, LIU Z, et al. Two‐dimensional materials: From mechanical properties to flexible mechanical sensors [J]. InfoMat, 2019, [4] WU J, LIU Y, TAN Z, et al. Chemical Patterning of High-Mobility Semiconducting 2D Bi2 O2 Se Crystals for Integrated Optoelectronic Devices [J]. Adv Mater, 2017, 29(44): [5] WU J, QIU C, FU H, et al. Low Residual Carrier Concentration and High Mobility in 2D Semiconducting Bi2O2Se [J]. Nano Lett, 2019, 19(1): 197-202.[6] WU J, TAN C, TAN Z, et al. Controlled Synthesis of High-Mobility Atomically Thin Bismuth Oxyselenide Crystals [J]. Nano Lett, 2017, 17(5): 3021-6.[7] YANG H, TAN C, DENG C, et al. Bolometric Effect in Bi2 O2 Se Photodetectors [J]. Small, 2019, 15(43): e1904482.

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