全文总字数：3709字
1. 毕业设计（论文）主要内容：
随着信息技术和微电子的技术的迅速发展，Si、Ga As 半导体材料已不能完全满足人们对在极端条件下工作的电子器件的需求。碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料具有热导率高、击穿电压高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性和机械性能好等诸多优异特性，已成为第三代半导体材料的研究核心之一。
化学气相沉积法（CVD）通常被用于制备 SiC 薄膜材料，激光 CVD 因具有高的沉积速率而被广泛用于快速制备厚膜材料。因为Al在SiC价带上方0.21-0.27 eV处可形成稍浅的受主能级是首选p型掺杂剂；而B的受主能级为0.27-0.38eV，而且B可形成一个缺陷配合物，其活化能比价带高0.62eV。与等效掺杂浓度的B掺杂材料相比，Al掺杂材料的电阻率较低。因此，本课题拟利用激光 CVD，采用卤化物前驱体SiCl4，制备Al掺杂的p型SiC半导体。
论文主要内容：
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1.查阅不少于15篇的参考文献（其中近5年英文文献不少于3篇），了解国内外相关研究概况和发展趋势，了解选题对社会、健康、安全、成本以及环境等的影响，完成开题报告；
2、以SiCl4为原料通过激光化学气相沉积制备SiC本征半导体，对其电学性能进行测试；
3、通过在实验条件不变的条件下加入三氯化铝实现对SiC的掺杂，对比本征SiC的相关参数；
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
1.第1－2周：查阅相关文献资料，翻译相应英文论文。了解实验仪器、材料、表征及测试方法，设计实验方案，撰写开题报告。
2.第3－8周：按照实验方案进行，合成制备本征SiC和Al掺杂SiC薄膜；
3.第9－18周：采用XRD、傅里叶红外光谱、拉曼光谱、扫描电镜、透射电镜等方法表征材料的物相、显微结构、电导率等性能，总结实验数据，完成并修改毕业论文和答辩文件。
4. 主要参考文献
[1]Pawel Kwasnicki, Roxana Arvinte, Hervé Peyre, Marcin Zielinski, LeszekKonczewicz, Sylvie Contreras, Jean Camassel, Sandrine Juillagu et. RamanInvestigation of Heavily Al Doped 4H-SiC Layers Grown by CVD[J]. MaterialsScience Forum,2015,3564.
[2]Takahashi K, Nishino S, Saraie J .Effect of Al doping on low-temperature epitaxy of 3C-SiC/Si by chemical vapordeposition using hexamethyldisilane as a source material[J]. Applied PhysicsLetters, 1992, 61(17):2081.
[3]Contreras S, Konczewicz L, ArvinteR, et al. Electrical transport properties of p-type 4H-SiC[J]. physica statussolidi (a), 2017, 214(4):1600679.
以上是毕业论文任务书，课题毕业论文、开题报告、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
