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1. 毕业设计（论文）的内容和要求
本毕业实习将运用本专业所学知识，理论联系实际，采用化学气相沉积法，制备二维材料二硫化钼（MoS2），来研究与分析不同形状的单层二硫化钼的光学性质，具体的研究任务包括：1、 研究课题的内容介绍：（1）使用化学气相沉积法生长单层MoS2（2）通过光学表征，研究不同形状的单层MoS2的光学性质2、 完成毕业论文的撰写，毕业论文的提纲和要求如下：（1） 第一章绪论部分，二硫化钼的晶体结构和能带结构，二硫化钼的制备方法以及研究现状，本文的选题依据以及研究方法。
（2） 第二章实验材料、设备与方法部分，这部分主要集中于化学气相沉积法系统、二硫化钼实验所需的药品和试剂，以及测试设备与表征技术。
（3） 第三章是对单层二硫化钼生长条件的探究，根据二硫化钼的生长过程及原理并利用控制变量法，找到单层二硫化钼最适宜的生长条件。
2. 实验内容和要求
（一）实验内容1、 实验准备工作：称量原料、安装真空管式炉并放置原料。
2、 单层二硫化钼的制备：在抽气后，通入Ar气,设置升温时间温度以及Ar气体流量，反应时间结束后降至常温后取出样品。
3、 光学表征：进行拉曼光谱测试、光致发光光谱测试。
3. 参考文献
[1] Yan P, Wang J, Yang G, et al. Chemical vapor deposition of monolayer MoS2 on sapphire, Si and GaN substrates[J]. Superlattices k a, A C O , B E A , et al. Glass-assisted CVD growth of large-area MoS2, WS2 and MoSe2 monolayers on Si/SiO2 substrate[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2020, 105:104679-.
[4] Nguyen V T , Ha S , Yeom D I , et al. Large-scale chemical vapor deposition growth of highly crystalline MoS2 thin films on various substrates and their optoelectronic properties[J]. Current Applied Physics, 2019, 19(10).
[5] 陶化文、黄玲琴、朱靖. 不同衬底上层状MoS_2薄膜制备及应用的研究进展[J]. 半导体技术, 2020, v.45;No.386(10):6-16 28.
4. 毕业设计（论文）计划
2020.12.1-12.31 选题与下达任务书2021.1.1-2021.2.28 阅读参考文献，完善研究资料，完成开题报告2020.2.29-2020.5.1 进行实验、样品测试与结果分析2020.5.2-2020.6.3 完成毕业设计说明书或论文写作，进行毕业论文的审阅和修改完善2020.6.3-2020.6.11 答辩
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