1. 题目来源
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，具有宽禁带、高电子迁移率、高击穿电压等优异特性，在光电子、电力电子等领域展现出巨大的应用潜力，具有重要的社会价值和经济价值。
选择“氮化镓单晶材料的制备及性能表征”作为论文题目，主要基于以下几方面的考虑：首先，高质量的氮化镓单晶材料是制造高性能器件的基础，而材料的制备是决定其性能的关键环节，因此对氮化镓单晶材料制备技术的研究具有重要的现实意义；其次，目前氮化镓单晶材料的制备技术仍面临着一些挑战，例如成本高、缺陷控制难等，需要进一步探索和优化制备工艺，提高材料的质量和性能；最后，通过对制备出的氮化镓单晶材料进行系统性的性能表征，可以深入了解材料的微观结构、光学特性、电学特性等，为后续的器件设计和性能优化提供理论依据。
本论文的研究旨在通过对氮化镓单晶材料制备技术和性能表征方法的深入研究，为推动氮化镓材料在光电子、电力电子等领域的应用发展做出贡献。
2. 应完成的主要内容
本论文应完成的主要内容包括以下几个方面：
1.氮化镓单晶材料制备方法的综述:对现有的氮化镓单晶材料制备方法进行分类介绍和比较分析，重点阐述各种方法的原理、优缺点、研究现状及发展趋势，为选择合适的制备方法提供参考。
2.氮化镓单晶材料生长机理的探讨:基于所选择的制备方法，深入研究氮化镓单晶材料的生长机理，包括成核与生长过程、缺陷形成机制、晶体取向控制等，为优化生长工艺、提高材料质量提供理论指导。
3.氮化镓单晶材料的制备与优化:根据研究内容，选择合适的制备方法，设计实验方案，进行氮化镓单晶材料的制备。
3. 基本要求及完成的成果形式
1.基本要求:掌握氮化镓单晶材料的基本性质、制备方法、性能表征手段等相关知识。
具备一定的文献检索、阅读和分析能力，能够查阅相关文献资料，了解国内外研究现状。
具备基本的实验操作技能，能够完成氮化镓单晶材料的制备和性能测试等实验内容。
4. 计划与进度安排
第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。
第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲
第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文
5. 参考文献（20个中文5个英文）
[1] 李金华,王新,刘广军,等.氮化镓单晶材料的研究进展[J].人工晶体学报,2022,51(10):1743-1757,1782.
[2] 郝跃,徐春广,王浩,等.高质量AlGaN外延材料生长动力学研究进展[J].人工晶体学报,2021,50(01):122-131.
[3] 王晓东,张国义,王向磊,等.氮化物外延材料应力研究进展[J].物理学报,2020,69(17):30-45.
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