1. 毕业设计（论文）主要内容：
研究不同温度和压强对蓝宝石单晶上外延铜薄膜的生长的影响。探究层状外延铜薄膜的生长过程和生长模式，并结合相关理论对MOCVD生长层状金属薄膜的机理进行阐述。最终探索适合石墨烯外延生长的外延铜薄膜的条件。尝试在自行制备的外延铜薄膜上进行石墨烯的原位生长，并表征其层数，缺陷及相关结构和性能。整个过程采用XRD, FESEM, AFM, EDS, Raman, TEM等手段进行材料表征。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1.查阅不少于15篇的相关资料，其中英文文献不少于5篇，完成开题报告，并完成不少于5000字的英文文献翻译；
2.不同温度和压强对外延铜薄膜的生长的影响，结合有机物前躯体乙酰丙酮铜分解模式，阐述MOCVD层状金属薄膜的生长机理；
3.探究外延铜薄膜上合适石墨烯的生长的条件；
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
1.第1－2周：查阅相关文献资料，明确研究内容，确定方案，完成开题报告；
2.第3－9周：在蓝宝石基板上制备外延铜薄膜，并及时对其结构进行表征，研究不同温度和压强对外延铜薄膜的生长的影响，需要对铜薄膜性能进行改进的地方及时改进。完成该部分后，结合相关理论对生长机理进行阐述；
3.第10－13周：研究外延铜薄膜上石墨烯的生长，并结合测试手段进行表征和分析；
4. 主要参考文献
ADDIN MendeleyBibliography CSL_BIBLIOGRAPHY [1] R. Muoz and C. Gómez-Aleixandre, Reviewof CVD Synthesis of Graphene, Chem.Vap. Depos. 19 (2013) 297–322.
ADDIN MendeleyBibliography CSL_BIBLIOGRAPHY [2] J. B. Park, J. Graciani, J. Evans, D.Stacchiola, S. D. Senanayake, L. Barrio, P. Liu, J. F. Sanz, J. Hrbek, J. A.Rodriguez, J. Am. Chem. Soc. 132 (2010) 356–363.
[3]Gang Hee Han, Fethullah Gunes, Jung Jun Bae, Eun Sung Kim, Seung JinChae, Hyeon-Jin Shin, Jae-Young Choi, Didier Pribat and Young Hee Lee, Influenceof Copper Morphology in Forming Nucleation Seeds for Graphene Growth, Nano Lett. 11 (2011) 4144–4148.
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