1. 毕业设计（论文）主要目标：
射频频率：3305 GHz；本振频率：13.75 GHz；本振功率：2-8 dBm；中频频率：DC-5 GHz；变频损耗：典型值10 dB；接口规格：射频口WR-03标准矩形波导、本振SMA（F）、中频SMA（F）；电源电压：5 V。
2. 毕业设计（论文）主要内容：
1.对330 GHz接收机前端系统进行分析，并设计。2.基于商用GaAs肖特基势垒二极管，采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合方法，分析设计波导-微带过渡、本振低通滤波器、中频低通滤波器等,仿真分析低损耗的330 GHz二次混频器;3.对混频器和330 GHz接收机前端完成PCB版图、工艺架构加工图设计和组装;4.对混频器和330GHz接收机的建立测试系统，测试性能并分析测试结果。
3. 主要参考文献
| [1]夏德娇,张勇.330 GHz太赫兹次谐波混频器设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2018,16(03):378-382. |
| [2]王宇星. 毫米波辐射计低噪声放大器和混频器设计[D].西安工业大学,2018. |
| [3]夏德娇. 基于肖特基二极管的太赫兹次谐波混频器研究[D].电子科技大学,2018. |
| [4]姚常飞,陈振华,葛俊祥.基于GaAs肖特基二极管的330 GHz接收前端技术研究[J].红外与毫米波学报,2017,36(04):446-452 465. |
| [5]刘高见. 基于平面肖特基二极管的220GHz分谐波混频器设计[D].中国航天科技集团公司第五研究院西安分院,2017. |
| [6]刘文博. 2.4GHz接收机射频前端电路研究与设计[D].燕山大学,2017. |
| [7]蒋均. 基于肖特基二极管太赫兹高次倍频源关键技术研究[D].中国工程物理研究院,2017. |
| [8]李全龙. 太赫兹高次谐波混频技术研究[D].电子科技大学,2017. |
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