Keithley 4200对BJT H参数的提取及分析任务书

 2022-08-31 09:44:05

1. 1. 毕业设计(论文)的内容、要求、设计方案、规划等

首先学习回顾半导体有源器件的典型单元BJT的构成和基本工作原理,它的作用、意义,以及对电子信息领域发展的深远影响。对BJT电学特性如何标定,建立BJT的参数结构模型基于何种考虑,目前有那几种模型和参数系统,参数系统的建立对器件性能指标的标明,设计、应用中带来哪些方便。深入理解BJT的H参数是怎样基于BJT内在特性建立的,正确理解H参数的意义和特点,对我们掌握BJT在低频小信号使用环境下的性能、本质具有重大的现实意义。学习吉时利公司全球领先的4200-SCS半导体参数分析仪的使用和操作说明,选择有代表性的BJT,列出测试方案进行测试,提取相应的H参数。建立自己的具体BJT H参数模型,进行具体、详细分析描述。更好地认识和理解BJT器件的特性,加深理论知识、测试方法的掌握和对器件更有目的的应用。

根据毕业设计要求,论文围绕1.介绍BJT的基本结构和工作原理,一般特性、应用特点和使用要求,得到广泛应用的背景等;2.简述BJT的主要结构模型,认真分析器件工作机理,H参数建立的优点和应用条件,各个参数的物理意义;3. 4200的先进性和操作使用特点,对BJT H参数测试方法介绍;4.选择BJT样品器件,实验测试参数,建立对应的器件实际模型,分析说明。论文写作按学校规定的格式要求,结合这几部分内容进行归纳总结、撰写并完成毕业设计其他相关工作。论文要求条理清楚,章节有序,内容充实,结构合理,书写规范。符号、数学表达式、示意图正确规范。照片、数据图表、附图等有标示说明。仪器测试的数据图表全面,自己绘制的参数模型图正规完整。

2. 参考文献(不低于12篇)

[01] (美) Donald A. Neamen著 赵毅强 等译.半导体物理与器件[M].北京:电子工业出版社,2010

[02] (美) Robert F. Pierret著 黄如 译.半导体器件基础[M].北京:电子工业出版社,2010

[03] (加) Adel S.Sedra著 周玲玲 等译.微电子电路(第五版)[M].北京:电子工业出版社,2006

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