1. 毕业设计（论文）主要内容：
自从1969年发表了第一次制成异质结莱塞二极管的报告[1]，半导体异质结在微电子与微电子工程技术方面的应用日益广泛。异质结不仅比同质结具有更高的注入效率[2,3]，而且其多样性更是让我们可以发挥想象去搭配不同材料以获得不同性能（如热电性能，整流特性[4]，磁阻效应[5,6,7,8]，雪崩击穿效应[9]），新型异质结的制备与性能探索都将为当今半导体集成电路行业带来新的曙光。本论文将探索不同材料异质结的制备方法以及深入研究不同异质结的能带结构对pn结电流电压特性的影响，最后探索磁场大小和方向对器件电输运性能的影响
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1. 阅读半导体物理等相关书籍，了解同质结和异质结的能带结构、电流电压曲线；查阅有关异质结在磁阻效应，整流特性方面的文献资料（不少于15篇，其中英文不少于5篇），并翻译其中一篇英文文献（不少于5000字）。
2．独立完成开题报告，并提交文献综述报告（不少于3000字；参考文献不少于10篇，其中外文不少于3篇）。每三周提交一次阶段性进展报告。
3．熟悉电子束蒸发、磁控溅射以及低温霍尔测量系统，制备出有关的样品或者直接购买一种异质结。
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1－3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，准备实验原材料以及熟悉样品制备和测试设备。完成文献综述与开题报告。
第4－6周： 熟悉并掌握用电子束蒸发或磁控溅射制备薄膜的一种工艺方法，尝试制备一种半导体异质结原理器件样品。
第7－9周：熟悉低温霍尔测量系统，测量不同磁场下异质结样品的I-V特性。
4. 主要参考文献
半导体物理，材料物理，固体物理、关于半导体磁阻效应的多篇原始英文文献。
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Hayashi I, Panish M, Foy P. A low-thresholdroom-temperature injection laser[J]. IEEE Journal of Quantum Electronics, 2003,5(4):211-212.
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Cheung D T, Shen C C, Pearson G L. Effects of Zncross diffusion on the properties of n (AlxGa1-xAs) ‐p (GaAs) heterojunctions[J]. Journal of Applied Physics,1975, 46(12):5226.
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