全文总字数：1104字
1. 毕业设计（论文）主要内容：
由于GaN有比一般材料高10倍的功率密度，有更高的工作电压，更高的效率，是未来5G射频电路发展的必然选择。
本毕业设计主要研究氮化镓（GaN）材料的基本原理及其在射频功率放大器电路上的典型应用，以仿真实验的方法探究GaN在射频功放电路设计上的特性，完成其相关电路设计，测试其电路性能，对测试结果进行分析，对所设计的射频电路进行分析总结。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1、查阅不少于15篇的相关参考文献，其中外文文献5篇以上，近五年参考文献5篇以上。
2、学习GaN射频功放电路实现的基本原理及设计方法。
3、完成应用于5G频段的GaN射频功放电路系统设计。
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3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，了解本课题研究所需的理论知识，初步确定设计方案，撰写开题报告。
第4-7周：学习GaN材料特性以及射频功放设计基本原理及设计方法。
第8-12周：完成GaN射频功放电路系统设计。
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4. 主要参考文献
[1] J Brunning,R Rayit. Designing ABroadband, Highly Efficient, GaN RF Power Amplifier[J]. Microwave Journal,2018,61(6).
[2] ReinholdLudwig, Gene Bogdanov.射频电路设计----理论与应用. 北京：电子工业出版社，2013.8
[3] 氮化镓(GaN)：5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素.半导体信息，2019,5:2-7
[4]赵子明. GaN宽带高效率射频功率放大器研究[D].杭州电子科技大学,2018
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