1. 毕业设计（论文）主要目标：
（1） 明确论文任务，搜集资料：2月21日 ~ 3月5日；
（2） 搜集资料确定论文大纲：3月6日 ~ 3月13日；
（3） 撰写论文初稿：3月14日 ~ 4月22日；
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2. 毕业设计（论文）主要内容：
根据金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的工作原理用comsol这款仿真软件来仿真一个顶部底部都有门的双栅极MOSFET，通过改变两个门级的栅极电压来控制漏极电流的输出，并研究其内部电子、空穴的分布，绘制出特性曲线。
3. 主要参考文献
徐毓龙.下一代CMOS IC——双栅极MOS晶体管.电子产品世界，2000
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