1. 题目来源
碲化镉（CdTe）作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有直接带隙（约为1.5eV）、高的光吸收系数等优良特性，在光伏、辐射探测、红外技术等领域有着广泛的应用。
然而，CdTe材料中不可避免地存在各种缺陷，其中位错缺陷作为一种常见的晶体缺陷，对CdTe材料的性能，尤其是光电性能有着显著的影响。
选择“CdTe半导体中的位错缺陷研究”作为论文题目，主要基于以下几个方面的考虑：
1.重要的社会价值：CdTe薄膜太阳能电池是目前唯一能够在产业化规模上与晶硅电池竞争的薄膜太阳能电池技术。
2. 应完成的主要内容
本论文应完成的主要内容包括：
1.综述CdTe半导体材料和位错缺陷的研究背景。
介绍CdTe材料的晶体结构、电子结构、光电性质等基本性质，以及位错缺陷的类型、形成机制、对材料性能的影响等。
2.介绍研究CdTe半导体中位错缺陷的理论和实验方法。
3. 基本要求及完成的成果形式
#基本要求
1.文献阅读：阅读与CdTe半导体材料、位错缺陷、第一性原理计算、材料表征等相关的文献不少于30篇，其中英文文献不少于15篇。
2.研究方法：掌握第一性原理计算软件的使用，能够独立进行建模、计算和结果分析；掌握TEM、SEM、XRD等材料表征手段的基本原理和操作方法。
3.论文写作：论文应结构完整、逻辑清晰、语言流畅、数据准确、图表规范，符合中国本科学术论文的格式要求。
4. 计划与进度安排
第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。
第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲
第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文
5. 参考文献（20个中文5个英文）
[1] 黄昆. 固体物理学[M]. 北京: 高等教育出版社, 2002.
[2] 陈光华, 薛增泉. CdTe晶体材料研究进展[J]. 材料导报, 2018, 32(17): 2949-2955.
[3] 张道礼, 陈长乐, 谢建军, 等. CdTe晶体生长及性能研究进展[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(11): 2118-2130.
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