1. 毕业设计（论文）主要内容：
寻求兼具高性能、低成本等优点的磁阻（MR）器件一直以来是人们关注的重点问题。
目前，在基于非磁性半导体的磁阻器件（如Si基、GaAs基、Ge基等器件等）中都观察到巨大的磁阻效应。
本论文拟采用放电等离子体烧结技术得到SnSe2半导体材料，利用X射线衍射仪、SEM、EPMA、低温电输运测量系统等设备，考察所得样品的物质组成、微观结构和磁阻效应，研究材料的结构与磁阻效应之间的关系。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1．阅读半导体物理等相关书籍，查阅有关SnSe2半导体材料的制备、磁阻效应方面的文献资料（不少于15篇，其中英文不少于5篇），并翻译其中一篇英文文献（不少于5000字）。
2．独立完成开题报告，并提交文献综述报告（不少于3000字；参考文献不少于10篇，其中外文不少于3篇）
3. 每三周提交一次阶段性进展报告（不含退回修改重新提交的）。【注意：最少不低于三次进展报告才能参加毕业答辩；每次正式提交三周之后才能提交后一次报告。】
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1－3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，准备实验原材料、熟悉制备和测试设备。提交文献综述报告，并独立完成开题报告。
第4－5周：掌握放电等离子体烧结技术制备材料的原理方法，制出SnSe2半导体材料。
第6－8周：调整改进SnSe2半导体材料的制备工艺和物质组分，并对样品进行微结构表征测试。
4. 主要参考文献
[1] Saha S, Banik A, Biswas K. Few Layer Nanosheets of n-type SnSe2[J].Chemistry-A European Journal, 2016.
[2] He X., Sun Z., Pang Y., et al. In-situ detection of localavalanche breakdown and large magnetoresistance in Ag/SiO2/p-Si:B/SiO2/Agdevice[J]. Journal of Applied Physics, 2017, 121(11): 114501.
[3] Fernandes PA, Sousa M G, Salomé P M P, et al. Thermodynamic pathway for the formation ofSnSe and SnSe2 polycrystalline thin films by selenization of metalprecursors[J]. CrystEngComm, 2013, 15(47): 10278.
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