1. 毕业设计（论文）主要目标：
1.了解第一性原理的计算方法；
2.掌握Material Studio软件建立硅纳米线的方法；
3.计算和分析应变硅纳米线的电子结构、光学性质和热学性质。
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2. 毕业设计（论文）主要内容：
通过查阅已有的文献，了解第一性原理的计算方法；掌握硅纳米线的建模方法，计算无应变和有应变时硅纳米线的电子结构、光学性质（包括介电函数、吸收系数和折射率等光学参数）和热学性质。
3. 主要参考文献
1.刘国柱，姚飞，王树杰，林丽等.应变硅技术在纳米CMOS中的应用[J].电子与封装，2013，12：31-36.
2. 刘莉, 曹阳, 贺军辉等. 硅纳米线阵列的制备及其光电应用 [J]. 化学进展, 2013, 25:248-259.
3.Kathryn F. Murphy, Brian Piccione, Mehdi B. Zanjan.Strain- and Defect-Mediated Thermal Conductivity in Silicon Nanowires [J].Nano Letters , 2014,10.1021.
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