1. 毕业设计（论文）主要目标：
作为当前最热门的领域之一, 研究分子的外电场效应已为许多领域提供理论基础, 具有一定的应用价值和指导意义。本文研究以三种典型的陶瓷材料（碳化硅，氮化镓，氧化锆）为主要内容研究其在辐射场作用下的物理特性和光谱特性。本文采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-311G (d,p)基组水平上优化了不同外电场下这几种分子的基态稳定构型，在此基础上利用同样的方法计算了该分子的分子结构、偶极矩、总能量、能隙以及红外光谱, 拉曼光谱, 紫外-可见吸收光谱强度等。本文的理论计算均在量子化学计算软件Gaussian 09中进行。然后利用软件求得的分子的键长, 键角, 偶极矩, 能量等物理性质的变化以及其红外光谱, 拉曼光谱和紫外可见吸收光谱的变化特征及其振子强度的变化, 目的是为其在辐射场作用下的特性研究提供理论依据.
2. 毕业设计（论文）主要内容：
本论文中心部分根据陶瓷材料的种类主要分为三个部分，对每种典型材料进行逐一的计算和分析。本文主要利用量子化学计算软件Gaussian 09中的密度泛函理论的B3LYP方法研究三种典型的陶瓷材料（碳化硅，氮化镓，氧化锆）在辐射场作用下的物理特性和光谱特性。首先在6-311G (d,p)基组水平上优化了不同外电场下这几种分子的基态稳定构型，然后在此基础上利用同样的方法计算了该分子的分子结构、偶极矩、总能量、能隙以及红外光谱, 拉曼光谱, 紫外-可见吸收光谱强度等。最后根据计算可得其键长, 键角, 偶极矩, 能量等物理性质的变化以及其红外光谱, 拉曼光谱和紫外可见吸收光谱的变化特征及其振子强度的变化,根据其数据的变化趋势进行构图分析，得出其总体变化情况。这为其在辐射场作用下的特性研究提供了重要的理论依据.
3. 主要参考文献
[1] Hu S D, Zhang B, Li Z J. A new analytical model of high voltage silicon on insulator thin film devices[J]. Chin. Phys. B, 2009, 18 (01): 315.
[2] Huang D H, Wang F H, Min J, et al. Study on structure characteristics of MgO molecule under external electric field [J]. Acta Phys. Sin., 2009, 58(5) : 3052 (in Chinese) [黄多辉, 王潘侯, 闵军, 等. 外电场作用下MgO分子的特性研究 [J]. 物理学报, 2009, 58(5) : 3052]
[3] Liu F T，Zhang S H，Shao J X，et al. Study on the properties of FO molecule under the external electric field [J]. J. At. Mol. Phys. 2010, 27(3) : 429 (in Chinese) [柳福提, 张淑华, 邵菊香, 等. 外电场作用下 FO 分子的特性研究 [J]. 原子与分子物理学报, 2010, 27(3) : 429]
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