1. 毕业设计（论文）主要内容：
1）通过PL光谱成像技术检测GaInP/GaAs/GaInP双异质结样品中的广延缺陷；
2）对GaAs广延缺陷进行拉曼测试，基于LO声子-等离子体激元耦合模的拉曼散射实现广延缺陷超扩散成像，并进行理论分析；
3）将光致发光和拉曼散射两种测试方法相结合，分析砷化镓广延缺陷区域电子和空穴浓度的分布。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1、查阅不少于15篇的相关资料，其中英文文献不少于3篇，完成开题报告。
2、熟悉光致发光和拉曼散射的基本理论知识，掌握显微拉曼光谱系统的操作方法。
3、根据设计内容要求，采用PL光谱成像技术检测砷化镓中的广延缺陷，基于LO声子-等离子体激元耦合模的拉曼散射实现广延缺陷超扩散成像，并进行理论分析。
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，熟悉光致发光和拉曼散射的基本理论知识。确定设计方案，完成开题报告。
4-8周：采用PL光谱成像技术检测砷化镓中的广延缺陷，基于LO声子-等离子体激元耦合模的拉曼散射实现广延缺陷超扩散成像，并进行理论分析。
9-12周：将光致发光和拉曼散射两种测试方法相结合，分析砷化镓广延缺陷区域电子和空穴浓度的分布。
4. 主要参考文献
[1] 吕恒，胡昌奎. 砷化镓中广延缺陷的光致发光研究[J].人工晶体学报, 2018,47(8):1529-1534
[2] Changkui Hu, QiongChen, Fengxiang Chen, et al. Overcoming diffusion-related limitations insemiconductor defect imaging with phonon-plasmon-coupled mode Ramanscatterin[J]. Light: Science Applications, 2018,7:23-30
[3] Fengxiang Chen,Yong Zhang, T. H. Gfroerer,et al. Spatial resolution versus data acquisitionefficiency in mapping an inhomogeneous system with species diffusion[J].Scientific Reports, 2015,5:10542.
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