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1. 毕业设计（论文）的内容和要求
HfO2作为一种高介电常数的铁电材料在微电子器件研究领域具有广泛的应用。
研究表明，纳米级HfO2薄膜具有负电容效应，在研制超低功耗纳米尺度FET方面具有潜在的应用价值。
本项目拟对HfO2外延薄膜的相结构性质开展研究工作。
2. 实验内容和要求
1、掌握PLD制备薄膜的工艺及操作；2、优化超薄膜生长条件；3、制备系列厚度超薄HfO2薄膜；4、利用XRD等表征手段检测其相结构性质；5、分析相结构转变与厚度之间的关系；6、讨论转变机制。
要求能结合固体物理中的晶体结构理论和实验数据深入分析薄膜的相变过程及微观机制。
3. 参考文献
[1] Kim, H (Kim, Hyungwoo); Kashir, A (Kashir, Alireza); Oh, S (Oh, Seungyeol); Hwang, H (Hwang, Hyunsang), A new approach to achieving strong ferroelectric properties in TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN devices, NANOTECHNOLOGY,32(5), 055703, 2021.
[2] Batra, Rohit; Huan Doan Tran; Ramprasad, Rampi, Stabilization of metastable phases in hafnia owing to surface energy effects, APPLIED PHYSICS LETTERS, 108(17), 172902, 2016.
[3] Batra, Rohit; Tran Doan Huan; Jones, Jacob L.; et al., Factors Favoring Ferroelectricity in Hafnia: A First-Principles Computational Study, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 121(8),?139-4145,2017.
4. 毕业设计（论文）计划
1、2020.12-2021.2，文献调研、撰写开题报告；2、2021.3-2021.4，开展实验、数据分析；3、2021.5-2021.6，撰写毕业，完成答辩。
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