二维半导体Bi2O2Se的生长及性能研究任务书

 2022-01-30 16:50:59

全文总字数:9426字

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

毕业论文内容要分四章节,第一章节分别介绍二维材料,二维半导体材料,Bi2O2Se2材料的结构性能,尤其是光电性能。

第二章节介绍实验内容,例如实验用到的实验设备,实验原料,实验步骤,材料表征,性能测试等。

第三章节内容介绍本论文的主要内容,研究二维半导体Bi2O2Se材料生长数据,结构形貌数据,性能研究数据等,并对数据背后的物理性能进行分析。

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2. 实验内容和要求

要求学会用CVD方法生长制备Bi2O2Se,得到四方形的,表面形貌较好,尺寸较大,大概为十微米以上的纳米片状样品。

通过对样品进行光学以及器件制备,测量纳米片的光电性能。

要求学生能积极做实验,充分阅读文献,根据文献的指导,进行数据参数的优化。

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3. 参考文献

[1] A. K. Geim and K. S. Novoselov, The rise of graphene, Nature Mater.,vol. 6, no. 3, pp. 183191, Mar. 2007, doi: 10.1038/nmat1849.Authorized licensed use limited to: Nanjing Tech University. Downloaded on September 27,2020 at 00:11:49 UTC from IEEE Xplore. Restrictions apply.TONG et al.: Bi2O2Se/Au-BASED SCHOTTKY PHOTOTRANSISTOR WITH FAST RESPONSE AND ULTRAHIGH RESPONSIVITY 1467

[2] B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis,Single-layer MoS2 transistors, Nature Nanotechnol., vol. 6, no. 3,pp. 147150, Jan. 2011, doi: 10.1038/nnano.2010.279.

[3] E. Liu, Y. Fu, Y. Wang, Y. Feng, H. Liu, X. Wan, W. Zhou, B. Wang,L. Shao, C.-H. Ho, Y.-S. Huang, Z. Cao, L. Wang, A. Li, J. Zeng,F. Song, X. Wang, Y. Shi, H. Yuan, H. Y. Hwang, Y. Cui, F. Miao,and D. Xing, Integrated digital inverters based on two-dimensionalanisotropic ReS2 field-effect transistors, Nature Commun., vol. 6, no. 1,p. 6991, May 2015, doi: 10.1038/ncomms7991.

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4. 毕业设计(论文)计划

2月份前完成文献阅读并完成论文第一章节的撰写3月份完成实验工作,并得到初步数据。

4月份和5月份,对数据进行分析,并完成毕业论文的撰写。

6月份答辩。

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