1. 毕业设计（论文）主要内容：
APD雪崩二极管作为高速光电系统的关键器件，随着光电技术的发展更显现出其重要性。而目前APD雪崩二极管测试主要依赖国外的设备，存在测试参数不完善和价格高的问题，不能满足APD管生产测试的需要，为此本课题开发了APD雪崩二极管测试系统。该系统采用集成度高的片上集成雪崩二极管(APD)偏置电压控制和光电流检测功能的器件，具有很好的防干扰性能，同时系统增加了光源，弥补了现有系统不能直接对APD管响应度测量的不足，实现了在同～台测试系统上快速的对APD管多种特性参数的测试。该系统可以对APD管的击穿电压、赔电流、响应度和倍增因子进行测试。
基于以上，本课题希望能够掌握雪崩光电探测器老化及寿命测试的理论依据,给出了寿命测试的数学模型,并据此设计出雪崩型光电探测器(APD)的自动老化测试电路。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
主要任务：
1.APD雪崩二极管理论研究；
2.APD雪崩二极管老化电路原理的研究；
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1周—第4周 搜集资料，撰写开题报告；
第5周—第6周 论文开题；
第7周—第12周 撰写论文初稿；
4. 主要参考文献
【1】】吕华，新型雪崩探测器特性的研究[D】，华南理工大学，2005年6月【2】COVA S,GHIONI M，LOTITO A，et a1．Evolution and prospects for single—photon avalanchediodes and quenching circuits[J】．Journal of Modem Optits，2004，5 1：1 267—1 288．【3】季国平．蓬勃发展的光电子产业【J】．世界电子元器件．2001(6)：5．7【4】冯一飞．光电器件综合测试评价系统研究和设计【D】．浙江大学，2006[5】Colace，Masini，CapelliniG，et a1．Metal—semiconductor-metal near-infrared light detectorbased on epitaxial Ge／Si．Appl phys Lett，1998，72：175【6】缪家鼎．光电技术[M】．杭州：浙江大学出版社，1995．【7】宋丰华．现代光电器件及应用．北京：国防工业出版社，2004：125"160【8】K．Smimov,A．Komeev,O．Minaeva,et al，Ultrathin NbN film superconducting single·photondetector array,Journal of Physics：Conference Series 2007，61：1 08 1-1 085【9】刘霄．基于光电测量的光接收系统的应用[D】．吉林大学，2007【1 0】Gallivanoni A．，Rech I．,Resnati D．，et al，Optically heterodyne diagnosis of ahigh—saturation-power undoped InP sandwiched InGaAs p—i-n photodiode grown onGaAs，Optics Express，2006，1 4：503 1—5037
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