1. 毕业设计（论文）的内容和要求
非晶碳化硅（a-SiC）是一种引起广泛兴趣的宽带隙半导体，其带隙范围可以满足可见光发射的要求。与金刚石类似，碳化硅具有较高的硬度、耐腐蚀性和较好的电子发射特性，在平板显示器件、真空微电子器件、及高温半导体器件方面有着广泛的应用前景。
PECVD方法与硅平面工艺有良好的兼容性，利用PECVD系统可以轻易地制备大面积的a-SiC:H薄膜，其方法简单、成本低廉、材料均匀，更重要的是可以容易地调整其组分，国际上对SiCx薄膜的研究也十分关注。
本课题主要内容是：
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2. 参考文献
1. R. Swanepoel, J. Phys. E: Sci.Instrum. 16 1214（1983）
2．唐晋发，顾培夫编。《薄膜光学与技术》，浙江大学出版社。
3．游璞，于国萍编。《光学》高等教育出版社。
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