1. 毕业设计（论文）主要目标：
1、 求出肖特基接触反向偏置时的电子隧穿的一般解；
2、 明确地阐明三种肖特基反向隧穿电流不同模型之间的异同和使用范围；
3、利用肖特基反向隧穿电流模型解释M/GaN肖特基接触反向漏电流。2. 毕业设计（论文）主要内容：
| 1、 研究肖特基接触反向偏置时的电子隧穿的一般特性； 2、 研究三种肖特基反向隧穿电流不同模型之间的对比； |
3. 主要参考文献
| 1、 曾树荣. 半导体器件物理基础.(2006) 北京大学出版社. 2、 周世勋. 量子力学教程. (2009) 高等教育出版社. 3、卢卯旺. 粒子在任意势垒 中的隧穿: 转移矩阵法[J].零陵学院学报,2004,25(6):4-7. 4、汤晓燕, 张义门, 张玉明, 郭辉, 张林. SiC肖特基接触的直接隧穿效应[J].半导体学报,2006,27(1):174-177 5、K. L. Jensen and A.K. Ganguly. Numerical simulation of field emission and tunneling: A comparisonof the Wigner function and transmission coefficient approaches[J].Journal of Applied Physics,1993,73(9):4408-4427
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