1. 毕业设计（论文）的内容和要求
硅是重要的半导体材料，近年来，其一维硅纳米材料由于与现有的硅加工工艺具有良好的兼容性，可用于集成的硅基纳米器件的设计，而越来越受到人们的
关注。虽然采用无电极的化学刻蚀方法（MACE）制备出的硅纳米线，具有光催化特性。但是其效率是非常低的。所以如何提高硅纳米线的光催化性能，越来越受到研究者的关注。
本论文旨在阅读大量文献的基础上，概述Si纳米线的研究进展，包括制备方法，应用领域。结合文献中化学刻蚀方法制备出的Si纳米线，再在其上制备银纳米颗粒，利用表面等离激元效应，增强纳米线的太阳光吸收能力，从而提高光催化（特别是降解有机污染物，比如甲基橙，甲基蓝等）性能。
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2. 参考文献
1． Compositestructure of SiO2@AgNPs@p-SiNWs for enhanced broadband optical antireflection ,Ren Lu, et al.Optical Express 21, 17484-17491(2013)
2． 硅纳米线阵列的制备及其光电应用，刘莉, 等，化学进展，25，248（2013）。
3． 硅纳米线阵列与银纳米结构的制备及其SERS研究，吴永宽, 大连理工大学博士学位论文（2012）。
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