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1. 毕业设计（论文）主要内容：
信息技术的发展产生了海量数据，现代社会对于数据存储的需求不断增长，然而硅基半导体工业特别是硅基存储器正越来越面临物理上和技术上的极限，随着器件特征尺寸的不断减小，亟需开发新的材料与器件结构，实现大容量、高速、低功耗的非易失性固态存储。
铁电场效应晶体管（FeFET）利用铁电介质作为绝缘栅层，通过栅压调控铁电薄膜极化方向，从而影响源极与漏极间的沟道导通特性，达到器件“开启”与“关断”的目的，在非易失性数据存储、低功耗传感器以及新兴的人工突触等领域有广泛的应用前景。二维室温铁电薄膜具有稳定的层状结构、原子级的厚度、弱层间耦合、电极化翻转电压低等优点，有望在探索二维铁电性、发展低功耗器件应用中发挥重要作用。将二维铁电材料应用于FeFET中可以大大提高器件的尺寸微缩能力，降低器件功耗，因此成为近年来的研究热点。
本次毕设的主要研究内容为：利用第一性原理研究二维铁电材料γ-SbAs的铁电自发极化，通过VASP软件包计算γ-SbAs的铁电自发极化强度及铁电相变过程。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1. 查阅有关二维铁电材料的文献资料（不少于15篇，其中英文不少于5篇），并翻译其中一篇英文文献（不少于5000字）。
2．独立完成开题报告，并提交文献综述报告（不少于3000字）；参考文献不少于10篇，其中外文不少于2篇）。
3．学习VASP软件包使用方法，构建γ-SbAs模型。
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容和计划安排；确定方案，完成开题报告。
第4-5周：学习第一性原理方法及VASP软件包使用。
第6-7周：构建γ-SbAs模型，优化原子结构，计算电子结构。
4. 主要参考文献
[1] Shen, Shiying,et al. "Robust two-dimensional ferroelectricity in single-layer γ-SbP andγ-SbAs." Nanoscale 11.24 (2019): 11864-11871.
[2] Ding, Wenjun, etal. "Prediction of intrinsic two-dimensional ferroelectrics in In2Se3 andother III2-VI3 van der Waals materials." Nature communications 8.1 (2017):1-8.
[3] Osada, Minoru,and Takayoshi Sasaki. "The rise of 2D dielectrics/ferroelectrics."APL Materials 7.12 (2019): 120902.
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