1. 毕业设计（论文）主要目标：
1）建立AlGaN/GaN HEMT击穿特性研究的模拟模型；
2）明确AlGaN/GaN HEMT器件结构与击穿特性之间的关系。
2. 毕业设计（论文）主要内容：
1）根据使用Silvaco/Atlas软件的特性、AlGaN/GaN HEMT的材料与结构特征正确地建立击穿模型；选取合适的器件材料与结构参数；
2）分析AlGaN/GaN界面极化电荷、表面态、势垒层厚度、掺杂等情况对器件击穿特性之间的关系。
3. 主要参考文献
1）B.-R. Park, J.-G. Lee, H.-J. Lee, J. Lim, K.-S. Seo and H.-Y. Cha，Breakdown voltage enhancement in field plated AlGaN/GaN-on-Si HFETs using mesa-first prepassivation process，ELECTRONICS LETTERS，2012 , 48 (3) :181-182.
2）严地，《AlGaN_GaNHEMT击穿特性研究和场板结构优化设计》，硕士论文，2008年3）Karmalkar and Mishra，Enhancement of Breakdown Voltage in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using a Field Plate , Electron Devices IEEE Transactionson ,2001 , 48 (8) : 1515-1521,
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