1. 毕业设计（论文）主要目标：
主要对第三代半导体材料为代表的氮化镓进行了概述，重点分析氢化物气相外延生长GaN膜中的应力。利用高分辨率X射线衍射精确测量晶格常数，在此基础上，分析其中的双轴应力和静压力，并简单探讨了其来源及性质
2. 毕业设计（论文）主要内容：
精确测量氢化物气相外延生长GaN膜的晶格常数，计算其中的双轴应力和静压力，并简单分析来源及性质。
3. 主要参考文献
[1]盛蔡茂.氮化镓GaN的特性及其应用现状与发展[J].科学技术创新,2018(31):48-49.
[2]雷本亮. 氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）,2006
[3]姜腾. Ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱特性的应用研究[D].西安电子科技大学,2016.
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